英特尔发布采用3D NAND技术的数据中心级固态盘

今天，英特尔发布了英特尔^®固态盘DC P4500系列及英特尔^®固态盘DC P4600系列两款全新的采用3D NAND技术的数据中心级固态盘，加强了其扩大3D NAND供应的承诺。

作为英特尔^®固态盘数据中心产品家族的最新补充，这两款产品主要为云存储解决方案所设计，可应用于软件定义存储及融合式基础设施。英特尔^®固态盘DC P4500系列专门针对数据读取进行优化，能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据。而针对混合型工作负载所设计的英特尔^®固态盘DC P4600系列则可以加速缓存，并使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。

基于英特尔3阶单元（TLC）3D NAND的英特尔^®固态盘DC P4500系列及英特尔^®固态盘DC P4600系列具备业界领先的存储密度，同时使用英特尔全新开发的控制器、独特的固件创新，并采用PCIe/NVMe标准。全新的数据中心级固态盘将实现性能、容量、可管理性及可靠性的结合，并为数据中心提供颠覆性的价值。以上独特的技术优势将在加速向软件定义存储迁移的同时加强有效扩展性，提升数据中心的效率，并在提高服务水平的同时降低总体拥有成本。初期，英特尔^®固态盘DC P4500系列与英特尔^®固态盘DC P4600系列将发布容量分别为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。

此外，英特尔在中国大连也在扩建Fab68工厂以扩大3D NAND的供给，进而满足最终用户的存储需求。2015年10月，英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND。