“三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT模块”,作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。
”三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT※1模块”,作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。该模块实现业内最大电流密度※2,有助于实现逆变器的输出功率和效率;并且采用全新封装结构,利于并联应用,实现灵活配置,并提高系统可靠性。今后,计划还将使用性能超过Si(硅片)更具低损耗化与高频动作可能性的SiC※3制成LV100封装产品,以充实产品阵容。
本产品将在 “PCIM Europe 2017”(5月16-18日于德国纽伦堡举行)以及“PCIM Asia 2017”(6月27-29日于中国上海举行)上展出。
※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor:高压绝缘栅型双极晶体管
※2 截至2017年5月11日,根据本公司的调查
※3 Silicon Carbide:碳化硅
新产品的特点
1.实现业内最大的电流密度,有助于实现逆变器的大功率和高效率
・采用三菱电机CSTBTTM※4结构的第7代IGBT和RFC二极管※5硅片技术,作为Si模块实现了业内最大※2的电流密度,高达8.57A/cm2<3.3kV/600A>
・AC输出主端子增加至3个,分散输出电流,缓解主端子的发热状况,实现在大电流工况下可靠运行。
※4 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
※5 Relaxed Field of Cathode Diode:本公司独有二极管,提高了阴极侧电子迁移率
2.便于并联应用,有效支持各个功率段的逆变器
・通过优化端子布局,方便并联应用,有效支持各个功率段的逆变器
3.通过全新封装结构,有助于实现逆变器系统的高度可靠性
・通过绝缘板与散热板的一体化设计,改善热循环寿命※6与功率半导体芯片的散热性,由此实现功率循环寿命※7的提高,并有助于实现高度可靠性
※6 因相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命
※7 因相对较短时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命
发售概要
产品名 |
型号 |
额定电压 |
额定电流 |
发售日期 |
X系列LV100封装 HVIGBT模块 |
CM450DA-66X |
3.3kV |
450A |
自9月起 陆续提供 |
CM600DA-66X |
600A |
封装 |
型号 |
额定电压 |
额定电流 |
绝缘耐压 |
結線 |
封装尺寸 |
LV100 封装 |
CM450DA-66X |
3.3kV |
450A |
6kV rms |
2in1 |
100×140×40mm3 |
CM600DA-66X |
600A | |||||
标准(std) 封装 |
CM1200HC-66X |
3.3kV |
1200A |
6kV rms |
1in1 |
140×130×38mm3 |
CM1800HC-66X |
1800A |
140×190×38mm3 | ||||
CM1500HC-90XA |
4.5kV |
1500A | ||||
CM900HG-90X |
4.5kV |
900A |
10kV rms |
140×130×48mm3 | ||
CM600HG-130X |
6.5kV |
600A | ||||
CM1800HG-66X |
3.3kV |
1800A |
140×190×48mm3 | |||
CM1350HG-90X |
4.5kV |
1350A | ||||
CM900HG-130X |
6.5kV |
900A | ||||
CM1000HG-130XA |
1000A |
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