快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器,提供 100% 占空比能力

关键词：MOSFET 驱动器 LTC7004 静态开关驱动器 ADI

时间：2017-09-08 10:42:54 来源：中电网

“亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。

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亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时，很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

LTC7004 采用 MSOP-10 封装，具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围，扩展和工业级版本的范围为–40°C 至 125°C，高温汽车级版本的范围为–40°C 至 150°C，军用级的范围为–55°C 至 125°C。千片批量的起始价为每片2.05美元。

照片说明：快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

性能概要：LTC7004

宽 V_IN工作范围：0V 至 60V (65V 绝对最大值)

内部充电泵提供100% 占空比能力

1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间

很短的 35ns 传播延迟

可调的接通转换率

3.5V 至 15V 栅极驱动器电源

可调驱动器电源V_CC欠压闭锁

可调V_IN过压闭锁

CMOS 兼容输入

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