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Ampleon面向粒子加速器应用推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶体管而引领射频功率效率

关键词:Ampleon Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P 粒子加速器应用

时间:2018-09-26 12:06:00      来源:中电网

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P,专门设计用于运作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用。该晶体管采用陶瓷4引脚SOT539形式并采用法兰螺栓固定封装(BLF13H9L750P)和法兰无耳封装(BLF13H9LS750P),可提供优于62%、据信是同类产品中最高的效率。

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P,专门设计用于运作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用。该晶体管采用陶瓷4引脚SOT539形式并采用法兰螺栓固定封装(BLF13H9L750P)和法兰无耳封装(BLF13H9LS750P),可提供优于62%、据信是同类产品中最高的效率。凭借如此高的工作效率规格,该晶体管与其他固态竞争器件相比,将有助于实现显著的功耗节省。此外,与基于速调管(klystron)和真空管放大器的老式装置相比,固态方法所需的维护会少很多,生命周期更长并且所需的物理空间更少,因此可进一步降低运营成本。

BLF13H9L(S)750P晶体管还具有市场领先的17dB增益。埃赋隆半导体Gen9HV 50V LDMOS制程于2017年推出,可生产高度一致的晶体管,从而可确保客户在生产过程中保持高度的可复制性。

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