Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势，包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。相比同类的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会，包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

此外，相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括：

·太阳能逆变器
·开关模式和不间断电源 
·电机驱动器
·高压DC/DC转换器
·感应加热

“此产品可改善现有应用，并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。相比同类IGBT，MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。” 

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装，具有以下关键优势：

·专为高频、高效应用优化
·极低栅极电荷和输出电容
·低栅极电阻，适用于高频开关

供货情况

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。如需了解Littelfuse授权经销商名录，请访问littelfuse.com。