TI推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器

德州仪器（TI）近日推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101随时间和温度变化具有超低漂移和超高精度，同时提供可靠的3-kVrms隔离。这对于诸如工业电机驱动、太阳能逆变器、储能设备和电源供给等交流或直流高电压系统尤为重要。

工业系统对更高性能的持续需求推动着对更精确的电流测量的需求，除了可靠的操作之外，这通常伴随着增加的电路板空间或设计复杂性的成本。TI已将其在隔离和高精度模拟方面多年积累的技术储备应用于TMCS1100和TMCS1101，使工程师可设计出能够在更长的设备使用寿命期间提供一致性能和诊断的系统，从而无需增加设计时间即可保持解决方案尺寸的紧凑性。

随时间和温度变化，以最低漂移改善系统性能

即使在温度变化和器件老化等操作条件下，TMCS1100和TMCS1101的零漂移架构和实时灵敏度补偿也可实现极高的性能。该器件拥有领先的随温度变化的总灵敏度漂移，最大值为0.45%，这比其他磁电流传感器低至少200%，它的最大满量程偏移漂移小于 0.1% ，可在各种电流范围内提供更高的测量精度和可靠性。此外，整个使用寿命范围内，0.5%的灵敏度漂移（至少比其他磁电流传感器低100%），显著减少了由于时间流逝造成的系统老化相关的性能下降。

高精度，可减少设备维护

此外，TMCS1100（最大值为1%）和TMCS1101（最大值为1.5%）的高精度无需对设备进行校准，减少了设备随时间推移而需要的维护。该器件还具有0.05%的典型线性度，很大程度上减小了信号失真，有助于在扩展的工业温度范围（-40°C 至 125°C）内保持精度。

采用8引脚 SOIC封装的3kVrms隔离，可延长系统寿命

根据美国保险商实验室（UL）1577标准，TMCS1100和TMCS1101的高质量结构提供了固有的电气隔离能力，可在3kVrms条件下实现60秒的隔离，在电网连接或电力系统中严苛的环境条件下也可适用。整个使用寿命期间，两种器件均支持±600V的工作电压，比同一8引脚SOIC封装中的市场器件高40%，且均经过严格测试，超出行业标准UL和VDE要求，可提供更大的设计裕量和延长的器件使用寿命。

通过增加灵活性，满足各类设计需求并降低系统成本 

TMCS1100需要用于差分测量的外部基准电压源，使工程师能够优化设计，满足严格的性能目标。但TMCS1101集成了电压基准，以引脚对引脚的行业标准实现方式提供了高性能，从而简化了设计，降低了总成本。

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