Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3．3mm x 3．3mm 封装 40V 双 MOSFET

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间，包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。

「汽车的电子零件数量在过去的十年中迅速增加，激发出对持续创新的需求。」Diodes Incorporated 车用产品营销经理 Ian Moulding如上表示。「我们对这项需求的响应扩大了公司的口碑，成为汽车业界值得信赖的供货商。」

「Diodes 在这个市场中已经连续六年创下两位数成长的亮眼表现。」Moulding继续说道。「DMT47M2LDVQ 这个例子显示我们如何帮助汽车行业解决其在开发新一代汽车时面临的技术与商业挑战。」

DMT47M2LDVQ 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET，并就此配置实现了业界最低的 R_DS(ON)  - 在 10V 的 V_GS 和 30.2A 的 I_D时仅为 10.9mΩ。在如此低的导通电阻下，无线充电或马达控制等产品应用中的传导损耗可降至最低。在 10V 的 V_GS 和 20A 的 I_D时，典型的栅极电荷为 14.0nC，将交换损耗降至最低。

DMT47M2LDVQ 的高导热效率PowerDI^® 3333-8 的结壳间热阻 (R_thjc) 为 8.43°C/W，可以开发出比单独封装 MOSFET 功率密度更高的终端产品应用。如此便能减少实作汽车功能 (诸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面积。

DMT47M2LDVQ符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范，能支持 PPAP 文件，且以 IATF 16949 标准认证的生产设施制造。

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PowerDI® 为 Diodes Incorporated 的注册商标。