关键词:科锐 碳化硅基氮化镓 WolfspeedCMPA901A020S CMPA9396025S CMPA801B030
时间:2021-04-20 10:40:30 来源:中电网
“全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,推出多款碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)器件:WolfspeedCMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。
”全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,推出多款碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)器件:WolfspeedCMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。本次推出的器件采用MMIC技术,具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点,可有效应对大型雷达所面临的挑战。
有源电子扫描阵列(AESA)系统愈来愈受到研发的青睐,该系统主要运用于大型机载平台上,同时在陆地和海事细分市场也有采用。AESA 系统使用有源阵列,每个阵列拥有数百甚至数千根天线。每一根天线均有其各自的相位和增益控制。天线元件的间距通常为半波长,以减少近场中的暴露。AESA 雷达同时也常常需要在宽范围的高频率内扩散信号。这样的频率捷变可以让雷达快速地搜索扇形区中的目标,同时保持隐蔽,并带来更出色的抗干扰能力。这些要求为工程师们带来了一定挑战:每个天线元件必须足够小型和轻量,同时要让整体系统尺寸和重量在空中和海上使用时可控。
赋能技术:GaN
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战,其具备宽的能带隙,拥有极高的临界击穿电场;具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性,以及优异的功率密度。将碳化硅(SiC)作为 GaN的衬底,能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配,以及出色的热导率,进而充分发挥GaN 的特性。
高性能关键
单片微波集成电路(MMIC)能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中,进而提高电路密度。MMIC采用方形扁平无引脚(QFN)封装,能够带来进一步降低成本和减小尺寸的优势。由于 QFN 封装采用短键合引线,有助于降低引线电感,其暴露在外的铜裸芯片焊盘提供出色的热学性能。本次科锐推出的器件就是基于上述技术:
Wolfspeed的CMPA901A020S器件采用6 × 6mmQFN封装,是一款 20W 的GaN-on-SiC高功率放大器,能够在 9GHz至10GHz频率范围内工作,适用于海洋气象雷达这样的脉冲雷达应用。该放大器拥有三级增益,能够提供大于 30dB 的大信号增益和大于 50% 的效率,能够满足更低的系统直流功率要求,并为简化系统热管理解决方案提供支持。
今天推出的另一款GaNMMIC 是CMPA9396025S ,其能够集成诸多技术,带来SWaP-C 改进的最大化。该三级器件针对9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而设计,采用 6 × 6mmQFN 封装,在 100-µs 脉冲宽度、占空比为 10% 条件下的功率为 25W。
MMIC 放大器中的CMPA801B030 系列在 7.9-GHz 到 11-GHz 频率范围内工作,能够支持在 X-波段中实现更宽的带宽和更高的功率。其输出典型值高达 40W,大信号增益大于 20dB,功率附加效率达 40%。该产品系列采用 7 × 7mm 的塑料二次注塑成型 QFN,同样提供裸芯片和 10引脚金属/ 陶瓷安装凸缘 flanged 封装,从而带来更出众的电气性能和热学性能。
▲ CMPA801B030提供裸芯片和高度紧凑型封装,带来SWaP-C改进的最大化
(备注:以上所列所有器件 ECCN均为3A001.b.2)
上述此类GaN器件有利于推动迅速增加的各类平台更快速地采用 AESA 雷达,而雷达系统的GaN 开支也将快速增长。
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