UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK－7L碳化硅FET

新产品能够为表面贴装型功率系统设计提供性能、可靠性和尺寸等优势

全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。这些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。

D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度，通过开尔文（Kelvin）源极连接改善了栅极驱动器的回路性能，并具有业界领先的散热能力。通过利用银烧结技术（Ag Sintering），可以在常规PCB以及复杂的绝缘金属基板（IMS）上完成管芯贴附。此外，它们具有出色的爬电距离（6.7mm）和电气间隙能力（6.1mm），这意味着即使在更高电压下也可以确保最高的操作安全性。

UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示：“这些最新FET由于具备快速开关能力，再加上银烧结技术带来的卓越散热性能，我们将能够继续为电源设计人员带来性能、可靠性、尺寸和布局等方面的优势。”

UnitedSiC的 FET-Jet Calculator^TM完全支持新型D2PAK-7L器件，利用这一免费的在线资源，工程师可以评估具体应用所需的不同运行参数，进行详细的性能比较，然后可以迅速、放心地确定哪种是最适合具体设计要求的SiC解决方案。