Power Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件

时间：2021-08-06 09:44:59 来源：中电网

“PI通过AEC-Q100认证的最新Qspeed二极管具有所有600V硅二极管中最低的反向恢复电荷(Qrr)。QH12TZ600Q二极管扩充了我们的汽车级二极管产品阵容，具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，但并不会增加成本。

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PI通过AEC-Q100认证的最新Qspeed二极管具有所有600V硅二极管中最低的反向恢复电荷(Qrr)。QH12TZ600Q二极管扩充了我们的汽车级二极管产品阵容，具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，但并不会增加成本。

汽车车载充电器应用需要更高的开关频率以减小体积和重量。我们的QH12TZ600Q二极管在25°C时的Qrr仅为14nC（只占其他同类硅二极管Qrr的一半）。该二极管可提高车载充电器功率因数校正(PFC)级的效率，同时显著降低PFC MOSFET的温升。

与我们其他的Qspeed二极管一样，QH12TZ600Q采用混合PiN-Schottky二极管技术来实现高性能。其平滑的反向恢复电流转换特性不仅提高了效率，还降低了EMI和峰值反向电压应力，在用作输出整流管时无需使用缓冲电路。

QH12TZ600Q采用紧凑的2.5kV隔离式TO-220封装，可直接安装到金属散热片上，有利于实现出色的温升性能表现。它们可用作单个或交错的连续导通模式(CCM) PFC升压二极管或车载充电器的输出整流二极管。

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