Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的R_DS(on)和SOA

奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的R_DS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。

多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流电机控制、以太网供电（POE）和汽车安全气囊等应用的产品优化升级不断取得成功。

浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战。为了应对这一挑战，增强型SOA MOSFET领域的前沿企业Nexperia专门针对此类应用进行了全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，并增强了SOA性能。与之前的技术相比，PSMNR67-30YLE ASFET的SOA(12V @100mS)性能提高到了2.2倍，同时R_DS(on)（最大值）低至0.7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了Spirito效应（表示为SOA曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线），还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。

Nexperia通过在125°C下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的SOA数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。

8款新产品（3款25V和5款30V）现已可选择LFPAK56或LFPAK56E封装，其中R_DS(on)范围为0.7mΩ到2mΩ，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他2款25V产品的R_DS(on)更低，仅为0.5mΩ，预计将于未来几个月内发布。