Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

稳健、高效，可像 MOSFET 一样驱动

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是采用商用工业栅极驱动器。最后，与硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 Q_G 低 10 倍，Q_OSS 低 5 倍，这使得 H2 ICeGaN HEMT 在高开关频率下能大幅降低开关损耗，并缩小尺寸，减轻重量。基于这些优势，该产品在同类产品中具备领先的效率性能，并且与 SMPS 应用中业界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

Giorgia longobardi | CGD 首席执行官兼联合创始人

“CGD 借助 H2 系列 ICeGaN 确立了其创新领导地位。弗吉尼亚理工学院（Virginia Tech）的独立研究已证实，ICeGaN 是业界坚固耐用的 GaN 器件，并且可以像标准硅 MOSFET 一样驱动，简单易用，有助于市场迅速接纳此类新产品。GaN的效率优势广为人知， ICeGaN 在满载范围内的性能表现令人印象深刻。”

ICeGaN H2 系列采用创新 NL³（空载和轻载）电路，与 GaN 开关一同集成在片上，功耗创历史新低。采用（片上）集成米勒钳位的先进箝位结构，无需负栅极电压，可实现真正的零电压关断，并提高动态 R_DS(ON) 性能。这些 e-mode（常关）单芯片 GaN HEMT 包含单片集成接口和保护电路，因此具备卓越的栅极可靠性，并且可以简化设计。最后，电流检测功能可降低功耗，并允许直接接地，以优化散热和 EMI 性能。

Giorgia longobardi | CGD 首席执行官兼联合创始人

“CGD 成功解决了所有通常会减缓新技术推广进程的挑战。此外，我们现已成功建立了可靠的供应链体系，可以满足市场对 H2 系列 ICeGaN 晶体管的大规模需求。”

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，由来自剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，旨在探索功率器件的革命性技术。公司的使命是通过高效易用的 GaN 解决方案为日常生活带来创新体验。CGD 从事 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发及商业化，从根本上改进器件能效和尺寸，并使其适合量产。CGD 拥有领先的创新技能和宏图大志，不断扩大知识产权组合，为 ICeGaN™ 技术奠定了强大的基础。除了数百万的种子基金，以及 A 轮融资和现在的 B 轮私人融资，CGD 目前已有四个项目成功获得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的资助。CGD 团队拥有深厚的技术和商业专业知识，在电力电子市场备受认可，拥有良好的业界口碑，促使公司的专利技术在初期便受到市场青睐。