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Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212-F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET

关键词:Vishay TrenchFET 第五代功率MOSFET SiSD5300DN

时间:2024-02-21 10:03:03      来源:Vishay

日前,威世科技宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装,10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW,导通电阻与栅极电荷乘积,即开关应用中MOSFET关键的优值系数(FOM)为42 mW*nC,达到业内先进水平。

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212‑F封装,提高系统功率密度,改进热性能

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装,10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW,导通电阻与栅极电荷乘积,即开关应用中MOSFET关键的优值系数(FOM)为42 mW*nC,达到业内先进水平。

20240220_SiSD5300DN.jpeg

日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同,导通电阻降低18%,提高了功率密度,同时源极倒装技术将热阻从63°C/W降至56°C/W。此外,SiSD5300DN优值系数比上代器件低35%,从而降低了导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

PowerPAK1212-F源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置,扩大接地焊盘面积,提供更有效的散热路径,有助于降低工作温度。同时,PowerPAK 1212-F减小了开关区范围,有助于降低迹线噪声的影响。另外,PowerPAK 1212-F封装源极焊盘尺寸增加了10倍,从0.36mm2提高到4.13 mm2,从而改进热性能。PowerPAK1212-F中央栅极结构还简化了单层PCB基板多器件并联的使用。

采用源极倒装PowerPAK1212-F封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统(BMS)、降压和BLDC转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。

器件经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

主要技术规格表:

PowerPAK1212-F

PowerPAK1212-8S

封装尺寸:3.3 mm x 3.3mm

封装尺寸:3.3 mm x 3.3 mm

源极焊盘尺寸:4.13   mm2

源极焊盘尺寸:0.36   mm2

热阻:56  °C/W

热阻:63  °C/W

第五代技术优异导通电阻:
SiSD5300DN:  0.87 mΩ (最大值)

第五代技术优异导通电阻:
SiSS54DN:  1.06 mΩ (最大值)

SiSD5300DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为26周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。

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