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Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET

关键词:Vishay 600 V E系列 功率MOSFET

时间:2024-05-07 13:51:45      来源:Vishay

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。

第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %,导通电阻与栅极电荷乘积,即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60 %,额定电流高于D2PAK封装器件,同时减小占位面积。

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Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出,以及其他第四代600 V E系列器件的发布,Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动,以及电池充电器。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装,外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm,占位面积比D2PAK封装减小50.8 %,高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却,因此具有出色的热性能,结壳(漏极)热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下,额定电流比D2PAK封装高46 %,从而显著提高功率密度。此外,封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术,10 V下典型导通电阻仅为0.074 Ω,超低栅极电荷下降到42 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,达到业内先进水平,这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗,从而实现节能并提高2 kW以上电源系统的效率。日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF,有助于改善硬开关拓扑结构开关性能,如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接,以提高开关效率。

器件符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHR080N60E现可提供样品并已实现量产,如想了解供货周期的相关信息,请与当地销售部联系。

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