更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q

聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）发布汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q。

TPS65R01Q拥有20mV正向调节功能，降低系统损耗。快速反向关断（Typ：0.39μs），在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。

TPS65R01Q可广泛应用于工业控制、企业电源、汽车主机、ADAS、仪表盘、HUD等多个终端场景。

TPS65R01Q产品优势

电池反向保护、快速关断、零直流反向电流

电源系统设计中，直接使用电池供电的模块或子系统，在感性负载与电池断开连接期间出现动态反极性或电池安装过程中出现反接时，会导致连接的模块、子系统电路遭到损坏。

TPS65R01具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效保护与电池相连接的模块和子系统。

反向保护延时：Trev_Delay（380ns）


Trev_Delay VS Temp 

降低正向功耗

传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电流上升，进而影响整个系统的稳定性。因此，热管理在系统设计中显得尤为重要。 

TPS65R01Q具备20mV正向调节功能，相比于肖特基二极管的VF值（0.3V左右@1A），TPS65R01Q的正向电压更低，这意味着在相同条件下，热损耗显著减少。这种改进不仅提升了系统的可靠性，还有助于降低系统设计和运行的成本。

低静态功耗

TPS65R01Q常温下正常工作电流典型值60μA，全温度范围内不超过100μA。

更好的冷启动性能

在汽车冷启动期间，电池电压会降低到4V左右，在这种情况下，使用PMOS（P型金属氧化物半导体）方案可能会导致PMOS的沟道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。

TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS保持完全增强状态。

Vin从12V降到3.5VTPS65R01正向调节功能正常

ORing电源平滑切换

下图展示了在双电源配置中，当 VIN1 固定在12V，而 VIN2 在4V至60V之间进行动态切换时，系统能够实现从 VIN1 到 VIN2 的平滑切换，确保输出在切换过程中保持稳定。

VIN1 @12V，VIN2 @4V to 60V

TPS65R01Q典型应用

单电源应用


双电源应用

TPS65R01Q产品特性

• 宽输入电压：3.2V-60V
• 最大-65V的反向电压承受能力
• 正向调制电压：20mV
• 反向关断电压：-11mV
• 最大关断电流：2.3A
• 反向关断延时：390ns
• 正向恢复延时：1.5μs
• 支持多颗NMOS并联
• 温度范围：-40℃ to 125℃
• 封装：SOT23-6

TPS65R01Q 双电源EVM Board