埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管

新型APD设计可在相同的激光输出功率下实现更远测距范围


埃赛力达近期宣布推出增强版 C30645 / C30662 型 InGaAs 雪崩光电二极管 (APDs)。这些经过重新设计的二极管利用埃赛力达在III/V族晶圆生长和加工架构的改进，实现尖端的噪声规格。新设计为客户提供了更好的信噪比 (SNR)，从而在相同激光输出功率下实现更远测距范围。

增强型架构的其他优势包括：

• 提升 LiDAR、激光扫描仪和测距仪的测距能力
• 适用于大批量生产的SMD 封装
• 提高光时域反射仪 (OTDR) 的信噪比
• 适用于具有太空级要求的光通信系统

“我们为 C30645 和 C30662 系列 APDs 添加了低噪声选项，以提高多种应用的系统级性能，”埃赛力达光子探测产品经理 Richard Simons 表示， “提高的信噪比可以更好地区分信号和噪声，从而帮助 OEM 客户实现更高的精度、更远的测距范围以及更低的功耗要求。”

埃赛力达的 C30645 和 C30662 系列 APD 是高速、大面积 InGaAs/InP 雪崩光电二极管，可在 1000 nm 至 1700 nm 光谱范围内提供高量子效率 (QE)、高响应度和低噪声。这些增强型二极管在 1300 nm 和 1550 nm 波长下进行了优化，使其适用于人眼安全激光测距和 LiDAR 系统。为了便于集成到大批量应用中，这些APD 提供多种封装选择，包括气密 TO-18 封装、陶瓷载体或陶瓷表面贴装封装。

鉴于不同应用对性能的要求各不相同，埃赛力达为这些光电二极管提供了广泛的定制服务，以应对设计挑战。针对特定应用的解决方案包括响应度和噪声筛选、定制设备测试以及集成带通滤波器等。

【关于埃赛力达科技Excelitas Technologies】

埃赛力达是一家领先的技术供应商，致力于提供先进的、改善生活的革新技术，为生命科学、先进工业、新一代半导体、航空航天和国防等各终端市场的全球龙头企业提供服务。公司总部位于美国宾夕法尼亚州匹兹堡。埃赛力达是光子技术设计、开发和制造领域的重要合作伙伴，为全球客户提供传感、检测、成像、光学和特种光源方面的前沿创新技术。