中恒微推出Drive ED3封装SiC功率模块

中恒微推出Drive ED3 （EconoDUAL™ 3）封装的SiC功率模块，使用平面栅（planer gate）SiC MOSFET芯片技术，在高温下具有优异的RDS（ON）表现，标准封装具有良好的适配性。能够提供更高的可靠性、更高的转换效率、更高的频率应用以及更大的功率密度。主要应用于新能源汽车、储能变流器、电能质量、UPS等领域。可以替换市场上同类型、同等级模块，是中/大功率应用市场的可靠选择。

01 产品型号

2E005E120T1P    2E003E120T1P

2E003D120T1P    2E002E120T1P

2E002D120T1P    2E003E120T2P

2E003D120T2P    2E002E120T2P

2E002D120T2P    2E004E170T1P

2E003E170T1P    2E002E170T1P

2E005E200T1P

拓扑结构：Half-Bridge

电压范围：1200V/1700V/2000V

电阻规格：1.8mΩ~5.3mΩ

02 产品特点

1. 纳米银烧结

2. 集成NTC温度传感器

3. 功率端子超声波焊接

4. 低开关损耗

5. 低导通电阻

6. 高功率密度

7. 高开关速度

8. Tvj op=175°C

03 应用优势

1. 高频应用

2. 高可靠性

3. 高转换效率

4. 降低成本，更高的经济效益

04 应用领域

1. 新能源汽车

2. 储能变流器

3. 电能质量

4. 不间断电源(UPS)

5. 电机控制