芯迈半导体推出40V车规SGT MOSFET，助力新能源汽车BMS高效安全升级

芯迈半导体今日正式推出专为新能源汽车电池系统优化的40V车规级SGT MOSFET——SDA系列

随着纯电动汽车和混动汽车市场的快速发展，锂电池系统正朝着更高能量密度、更轻量化、更智能化的方向演进。在此背景下，电池管理系统（BMS）的安全性与效率成为行业关键挑战。芯迈半导体推出的40V车规级SGT MOSFET——SDA系列，凭借超低导通损耗、超高雪崩能力及卓越热稳定性，为下一代BMS提供更可靠的保护方案。

核心优势：更低换耗，更高可靠性

0.7mΩ超低导通电阻（Rdson）

• 基于芯迈自有12英寸晶圆厂先进工艺，该器件在相同电流下可大幅降低导通损耗，减少BMS系统发热，提升整体能效。

• 相较于行业主流产品，其更低的Rdson可显著优化锂电池的充放电效率，延长续航里程。

400A超高雪崩击穿电流，安全冗余倍增

• 在典型车载应用（0.01mH寄生电感）下，雪崩电流能力突破400A，远超行业标准，确保在过流、短路等极端情况下仍能快速关断，可靠保护电池模组。

• 这一特性尤其适配高功率锂电系统，为BMS提供更强的故障保护能力。

动态均流一致性领先，适配高并联需求

随着电池容量提升，BMS需更多MOSFET并联以支持大电流充放电。该器件通过优化的Vth与Rdson一致性，确保并联工况下的静态与动态均流性能，避免电流失衡导致的局部过热风险。

小型化封装与车规级可靠性

• 采用PDFN5×6紧凑封装，节省PCB面积，契合电池模组轻量化与高集成度趋势。

• 通过AEC-Q101认证及多项严苛可靠性测试，可在-55℃至175℃宽温范围内稳定工作，适应复杂车载环境。

赋能未来：智能电动汽车提供底层保障

在新能源汽车向更高电压平台、更高能量密度演进的过程中，该新品凭借低损耗、高鲁棒性、优异热管理等特性，不仅满足当前BMS需求，更为800V高压架构、固态电池等未来技术预留性能裕量。其高雪崩能力与均流设计，也将成为智能电动汽车功能安全（ISO 26262）的关键支撑。