Qrr与Trr双优表现，龙腾半导体650V 99mΩ 超结MOSFET发布

时间：2025-09-28 10:02:52 来源：中电网

“龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET，其内置FRD，适应LLC应用，并适合多管应用，具有更快的开关速度，更低的导通损耗；极低的栅极电荷（Qg），大大提高系统效率和优异的EMI性能。

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龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET，其内置FRD，适应LLC应用，并适合多管应用，具有更快的开关速度，更低的导通损耗；极低的栅极电荷（Qg），大大提高系统效率和优异的EMI性能。

该产品耐压为650V，导通电阻仅为99mΩ，使得MOS管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率，同时成本也随之下降，为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、逆变器和其它高压开关应用等。

LSB65R099HP

LSD65R099HP

产品特点

业界优势的RDS(on)*A

集成快恢复二极管

出色的高开关速度

增强的dv/dt能力

竞争优势

业界优势的RDS(on)*A

Qrr反向恢复电荷性能显著提升

trr反向恢复时间较同类产品明显缩短

注：数据来源于龙腾实验室实测

LSD65R099HP采用先进的PT工艺，器件高低温条件下IDSS漏电较辐照产品低。同时，其Trr和Qrr性能参数优于市面主流产品，显著提升了产品的可靠性与能效。

应用领域

数据中心

通信电源

电动汽车充电OBC

不间断电源UPS

工业SMPS

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