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”| 10月15日讯，ISSI公司推出两种新型NOR闪存和假SRAM组合在一个封装的MCP 器件IS75V16F64GS16 和 IS75V16F64GS32。这些新产品有高密度随机存取存储器16M位或32M位的假SRAM(PSRAM)和64M位闪存。 市场部副总裁Sanjiy Asthana说："PSRAM解决方案比等效的六晶体管SRAM成本更低。这和模块提高空间效率一起，使闪存和假SRAM 封在一起的MCP，非常适合用在需要高性能和低功耗的移动领域。" PSRAM技术采用有简便SRAM I/O接口的单元DRAM核，因而有更高的密度，每位功耗更低，芯片面积更小。从功能上来讲，PSRAM用作缓冲器和工作存储器，而NOD闪存则存储数据，操作代码和各种的通信协议。NOR闪存有由用户可配置的区块，以便有更好的性能和灵活性。 这些产品支持2.7V 到3.1V的电源和I/O电压，闪存的快速存取时间为70ns，而PSRAM则最大为70ns。其它特性还有，闪存和PSRAM的待机电流低，工作电流在70mA。因此，非常适合用在需要更低功耗的地方，以延长电池的寿命。 ISSI的MCP解决方案能理想地用在需要高性能低功耗和小占位尺寸的地方，如移动手机，PDA，手持个人计算机，全球定位系统(GPS)，无线调制解调器，双向寻呼机以及手持工业数字设备。 定货量为10K时，IS75V16F64GS16 和IS75V16F64GS32的价格分别是$20和$25。两种器件都是65引脚的BGA封装。现在可提供样品和大量供货。下图为产品外形图。详情请上网：www.issi.com |
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2001.11.01 |
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