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”6月11日讯,Micron技术公司(Micron Technology, Inc.)推出业界第一个图形双数据速率SDRAM(GDDR3)元件MT44H8M32256Mb,它是268,435,456位高速CMOS动态随机存取存储器,有四组DRAM。GDDR3目标应用在高速点对点应用,如高端PC图形和需要超快数据速率的游戏平台以及高速网络。这种突破性技术使每个器件能提供集总的带宽6.4GBps,达到1.6Gb/s.引脚,工作电压1.8V,系统时钟为800MHz。GDDR3是目前最快的可用的存储器,采用Micron第一流的0.11um技术制造,每引脚带宽和集总带宽两方面的性能都是最高的。 256Mb芯片是由8Mbx32组成,135引脚倒装芯片BGA封装,并有几个新的引脚。ZQ引脚是用来校准外接电阻,校准存储器,使它能准确无误和环境匹配。MF引脚提供镜像功能,使芯片能用在PCB板上的自卸式配置,板的每边都有一个芯片。板中每边相对着的信号是一样的,允许有最短的布线长度。详情请上网:http://www.micron.com/ |
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