“这种新材料提供50%更多的性能而功耗降低了近10倍,是微处理器和其它逻辑产品的未来基本器件.
”| 12月7日讯,Intel公司推出采用新材料的新型超快非常低功耗的晶体管,将会在未来的5年能作为它的微处理器和其它逻辑产品的基本器件. Intel和QinetiQ研究人员共同演示了采用锑化铟(InSb)的增强模式晶体管来传导电流.晶体管控制芯片内的信息/电流的流动.晶体管的样品比以前所公布的晶体管要快得多,而功耗却更低.Intel预期,采用这种新材料来补充硅,将会进一步扩展了Moore定律.晶体管级的功耗的大大降低以及性能的提高,在将来的计算机平台中起到至关重要的作用,给计算机用户提供了大量增加的功能和特性.由于消耗更低的能量,产生的热量也低,大大地增加了移动设备的电池寿命,为开发更小功能更强大的产品增加了机会. 这些研究结果将会增强Moore定律能连续到2015年的信心.随着Intel其它技术的发展,我们期望这种新材料将会使以硅为基础的半导体的未来更加光辉灿烂.这种新材料提供50%更多的性能而功耗降低了近10倍,给我们提供了大大的灵活性,因为在未来的平台上能够优化性能和功耗. 锑化铟(InSb)是一种III-V族化合物半导体,这些III-V族化合物半导体在今天用来制造各种不同的分立晶体管和小规模集成电路如RF放大器,微波器件和半导体激光器. Intel和QinetiQ研究人员以前曾公布过有InSb沟道的晶体管.今天所推出的晶体管样品栅长度为85nm是最短的,小于早期推出的尺寸的一半.这是第一次所演示的增强模式晶体管.增强模式晶体管是用在微处理器和其它逻辑电路中的主要类型晶体管.这些晶体管能工作在低到0.5V的电压,大约为当今晶体管的一半,从而导致了更低的功耗. 详情请上网:www.intel.com |
12月7日讯,Intel公司推出采用新材料的新型超快非常低功耗的晶体管,将会在未来的5年能作为它的微处理器和其它逻辑产品的基本器件. Intel和QinetiQ研究人员共同演示了采用锑化铟(InSb)的增强模式晶体管来传导电流.晶体管控制芯片内的信息/电流的流动.晶体管的样品比以前所公布的晶体管要快得多,而功耗却更低.Intel预期,采用这种新材料来补充硅,将会进一步扩展了Moore定律.晶体管级的功耗的大大降低以及性能的提高,在将来的计算机平台中起到至关重要的作用,给计算机用户提供了大量增加的功能和特性.由于消耗更低的能量,产生的热量也低,大大地增加了移动设备的电池寿命,为开发更小功能更强大的产品增加了机会. 这些研究结果将会增强Moore定律能连续到2015年的信心.随着Intel其它技术的发展,我们期望这种新材料将会使以硅为基础的半导体的未来更加光辉灿烂.这种新材料提供50%更多的性能而功耗降低了近10倍,给我们提供了大大的灵活性,因为在未来的平台上能够优化性能和功耗. 锑化铟(InSb)是一种III-V族化合物半导体,这些III-V族化合物半导体在今天用来制造各种不同的分立晶体管和小规模集成电路如RF放大器,微波器件和半导体激光器. Intel和QinetiQ研究人员以前曾公布过有InSb沟道的晶体管.今天所推出的晶体管样品栅长度为85nm是最短的,小于早期推出的尺寸的一半.这是第一次所演示的增强模式晶体管.增强模式晶体管是用在微处理器和其它逻辑电路中的主要类型晶体管.这些晶体管能工作在低到0.5V的电压,大约为当今晶体管的一半,从而导致了更低的功耗. 详情请上网:www.intel.com |
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