富士通推出256Mbit移动快速循环随机存储器

关键词：循环随机存储器

时间：2006-11-29 15:30:00 来源：中电网

“新款移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A采用双倍数据速率(DDR)突发模式，完全符合移动随机存储器(COSMORAM) Revision 4的通用规格要求。

”

富士通微电子推出全新256Mbit移动快速循环随机存储器（FCRAM）。该移动快速循环随机存储器是一种伪静态随机存储器(PSRAM)，在富士通快速循环随机存储器的核心技术的基础上带有一个静态存储器接口，可以实现高速运算和低电耗，非常适用于手机等各种移动应用。

该新款移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A采用双倍数据速率(DDR)突发模式，完全符合移动随机存储器(COSMORAM) Revision 4的通用规格要求。该产品器件有以下特点：
双倍数据速率(DDR)同步突发模式
多重地址/数据接口
高速数据传输速度，最高可达1GByte/s
短延迟模式，初始接入时间短

富士通的快速循环随机存储器(FCRAM)产品系列在现有的伪静态随机访问存储器（PSRAM）平台的基础上可以实现高速的数据传输速率，并包含多样化功能，如数码照相、数码摄像和地面数字广播流。另外，客户不需要复杂的电板设计，因为新的产品器件通过多重地址和数据总线可以将针数减到最少。

产品样品将于2007年1月起推出，并于2007年4月起开始批量生产。两种器件不仅提供封装好的产品，同时还有芯片和晶片的供应形式。

主要规格表：

详情请访问：http://cn.fujitsu.com

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