飞兆半导体推出200V/250V PowerTrench MOSFET

关键词：FDB2614 FDB2710 PowerTrench MOSFET

时间：2007-03-13 15:44:00 来源：中电网

“FDB2614和 FDB2710采用 D2PAK 封装技术，具有同类最佳的 FOM，为等离子体显示板提供领先的效率并节省空间。

”

飞兆半导体推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench 工艺技术，这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧；FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低的栅极电荷 (Q_g)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(FOM)，因而在PDP系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200V 或 250V的击穿电压，可以封装在占位面积更小的D²PAK封装中。PowerTrench MOSFET的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。

FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有领先的FOM及采用紧凑的D²PAK封装，非常适合于PDP应用中的路径开关。这些器件经过量身度做，可为纤巧的PDP板设计提供高电流处理能力和节省占位空间的封装。

FDB2614 和 FDB2710的主要功能和优势包括：

最低导通阻抗RDS(on) 及低栅极电荷，具备同级产品最佳的FOM (RDS(on)xQ_g)，能够提高系统效率；

D²PAK (TO-263) 封装，与具有类似RDS(on)的更大型TO-3P封装平面MOSFET比较，能够节省板卡空间；

高dv/dt 和 di/dt处理能力，增强系统可靠性。

FDB2614和FDB2710均为无铅器件，能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

供货: 　现提供样品

交货期: 收到订单后12周内

详情请访问：www.fairchildsemi.com。

飞兆半导体推出200V/250V PowerTrench MOSFET

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