SAMSUNG推出首个30nm级64Gb NAND Flash

最多16个64Gb闪存器件可以连接成为128GB的存储卡，存储80部高清晰DVD电影或者32，000个MP3音频文件。

30 nm级64Gb的NAND闪存使得存储器的密度在连续的第八年中翻了一倍，并且在连续发展的第七年，纳米等级也从2001年的100nm 1Gb NAND得到了很大的改善。

新的闪存器件已经成功开发出来了，它使用了称为自对准双成型技术（SaDPT）的生产工艺， 第一道版图是一个目标处理技术有较大空间电路设计，而第二道版图则用更紧凑的设计版图放进第一道版图中。

SaDPT标志着一个重要的进步，超越了去年开发出来的基于NAND闪存的采用新材料(氮化硅)和新结构配置的CTF（Charge Trap Flash）技术。通过扩大传统的在制造工艺中平板印刷技术的作用，SaDPT解决了一个关键的瓶颈。Samsung的基于NAND闪存的CTF和SaDPT这两种技术都期望能为下一代纳米等级设计提供成本收益的改善。

Samsung的SaDPT在生产30nm产品时将采用现有的光刻设备，并希望能在2009年商品化。利用传统的光刻设备，Samsung不仅仅大大加快了进程，而且改善了生产操作的成本收益，而不需额外的设备投资。关于新的64Gb闪存器件，Samsung已经申请了30个专利。

同时，Samsung 还开发了基于64Gb器件中相同技术的32Gb 单级单元（SLC）NAND闪存。Samsung在引入更高密度NAND闪存的持续成功将加大对于固态硬盘的需求，这些需求针对于笔记本和其他基于NAND存储设备如数字便携式摄像机和公司服务器。

Samsung期望能在2009年开始量产30nm级64Gb存储器。据Gartner Dataquest显示，64Gb NAND闪存和更高密度器件的累计销售三年可达$20 (2009~2011)。

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