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NJR推出具有旁路功能的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1129MD7

关键词:NJR 旁路功能 低噪声放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7

时间:2009-01-12 13:45:00      来源:NJG1129MD7

NJG1129MD7可支持470~770MHz的带宽,并且通过采用W-CDMA用LNA的设计技术而实现了15dB的增益

新日本无线株式会社推出最适于1SEG信号用调谐器模块的宽频带低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7。

近年来,手机和汽车导航等能接收1SEG信号的产品在不断增加。由于终端接收信号灵敏度不足,所以需要具有高增益/高线性/低噪声的高性能LNA。新日本无线株式会社为满足这种市场需求开发了NJG1134HA8(2008年3月27日发布),而1SEG信号接收用LNA GaAs MMIC NJG1129MD7则是为了满足市场所求的更高灵敏度。

NJG1129MD7可支持470~770MHz的带宽,并且通过采用W-CDMA用LNA的设计技术而实现了15dB(典型值,@ f=470~770MHz)的增益(而NJG1134HA8的则为10dB(典型值,@ f=470~770MHz)。

NJG1129MD7是利用GaAs HEMT工艺制造而成的,并且实现了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm;IP3=+1.0dBm,典型值)和低噪声(NF=1.4dB,典型值)。

另外,为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真,设有不经过内置LNA的旁通模式,从而避免了失真的出现(P-1dB(IN)=+12.0dBm;IP3=+20.0dBm,典型值)。

具有高增益和旁通模式、能够稳定接受信号的NJG1129MD7最适于手机和汽车导航等配有1SEG调谐器模块的设备。

NJG1129MD7具下述特性:
借助于旁通模式,在强磁场下也能稳定接受信号。
低噪声(NF=1.4dB,典型值)特性有助于提高接受信号的灵敏度。
利用GaAs HEMT工艺达到了高线性
(P-1dB(IN)=-6.0dBm;IP3=+1.0dBm,典型值)
内置ESD保护电路,对ESD具有高耐压特性。

生产计划
工程样品(ES):2008年12月
批量生产(MP):2009年1月(50k/月)

样品价格
100日元/件


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