“世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。
”世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。FM24C64C具有低功率运作特性,有效电流为100 µA (在100 kHz下),典型待机电流仅为4 µA。这款F-RAM器件是64-Kb EEPROM产品的直接硬件替代产品,适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。
Ramtron市场推广经理Mike Peters表示:“FM24C64C扩展了我们在位于美国美国佛蒙特州 (Vermont) Burlington的IBM生产线上制造的低密度串口I2C器件系列。FM24xxC系列产品包括带有I2C接口的4-Kb、16-Kb和64-Kb串口器件。相比竞争器件,Ramtron的F-RAM产品具有出色的写入性能、耐久性和持久性。”
关于FM24C64C
FM24C64C具有串行I2C接口,100 µA的有效电流 (通常在100 kHz下),并以高达1MHz的总线频率运作。该器件是64-Kb串行 EEPROM的直接普适型(drop-in) 替代产品,一般用于工业控制、抄表、医疗、军事、游戏,以及计算等应用。FM24C64C 采用符合RoHS标准的工业标准8脚SOIC封装,工作温度范围是工业级的-40°C至+85°C。
关于Ramtron公司和F-RAM技术
Ramtron International Corporation (简称Ramtron)公司总部设在美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯,是一家无晶圆厂半导体公司,设计、开发和销售用于世界范围之广泛产品应用及市场的专业半导体存储器和集成半导体解决方案。
Ramtron是在半导体产品中采用铁电材料的先驱企业,开发了新类型非易失性存储器,称作铁电随机存取存储器即F-RAM。Ramtron的铁电存储器结合了动态随机存取存储器 (DRAM) 的高速度和非易失性数据储存特性,即无电存储数据的能力。自从这项技术商业化以来,Ramtron已经在严苛的应用领域销售了数亿个F-RAM器件,包括汽车安全和娱乐系统、便携式医疗设备、工业过程控制系统、智能电表和消费打印机墨盒。F-RAM技术是市场上功效最高的非易失性存储器技术,有望为超高效电池供电产品和能量收集应用的开发铺平道路。要了解更多的信息,请访问公司网站www.ramtron.com。
安全规避声明
以下为依照美国私人证券法1995年修订案规定而发出的“安全规避”声明:本文中所有还不是历史事实的声明均为“前瞻性声明”,这些“前瞻性声明”可能涉及风险、不确定性和假设,而实际的结果或成果也可能与这些前瞻性声明的预计结果出现重大的差异。如要探讨这些风险,请参考Ramtron提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件。本新闻稿中的前瞻性声明是在新闻稿的日期所做出的,Ramtron明确表示没有任何更新或修改此处前瞻性声明的义务或职责。
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