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ST发布先进功率MOSFET系列产品

关键词:ST MOSFET

时间:2012-09-13 10:20:12      来源:中电网

ST推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管,助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求,瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管,助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求,瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。

新产品包括业内首个可承受950V峰值电压的超结晶体管(MOSFET)、同类产品中能效最高的900V晶体管和全球上唯一采用节省空间的PowerFLAT 8x8 HV超薄封装的850V器件。超结技术可提高MOSFET管的工作电压,降低导通电阻-芯片尺寸比,使电源产品在缩减封装总体尺寸的同时提高系统可靠性和能效。

意法半导体是超结MOSFET(super-junction MOSFETs)的主要供应商,现在开始提供目前市场上额定电压最高的解决方案,同时还是目前仅有的两家900V超结晶体管供应商之一。此外,该系列产品不久后将增加800V器件。

超结技术让世界更环保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同时,意法半导体还公布了首个成功应用超高压MOSFET的客户设计的细节。意大利固态照明创新企业TCI (www.tcisaronno.net)在其最新的LED驱动器设计中选用LEDIPAK封装的950V STU6N95K5做主电源,为设计先进且功能丰富的LED照明灯供电,使其成为高成本效益的小型LED照明市场的能效标杆。意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示:“ 意法半导体最新的SuperMESH 5技术让TCI创立了市场上最高的能效和安全系数,为客户提供极具吸引力的价值主张。”

意法半导体新的超结MOSFET的其它主要应用包括平板电视、PC电源、LED照明驱动器和高压气体放电灯(HID)电子镇流器。MOSFET将让设计人员能够达到美国能源之星(Energy Star)和欧盟能源相关产品(Energy-related Products,ErP)指令等生态设计标准中日益严格的功率上限和能源下限要求。

例如,最新的能源之星电视机能效规范(5.3版)提出了更严格的生态设计规定,要求50英寸以及以上的平板电视的最大绝对功率为108.0瓦。另一个生态设计标准日益严格的例子是,ErP的照明指令提高了2012年至2017年期间制造的各类HID灯的能效下限标准。

意法半导体的新超结MOSFET耐高压特性可提高系统安全性和可靠性。对于HID灯镇流器和其它的以电网或更高电压为电源的电力应用系统,例如太阳能微逆变器和电动汽车充电桩,耐高压是一个重要优点。为最大限度减少电动汽车的充电时间和运行成本,充电桩需要极高的功率转换效率。在微型发电机逆变器内,高能效的MOSFET让设计人员能够使用更高的开关频率,输出高质量的交流电能,同时降低能耗和解决方案尺寸。

SuperMESH™ 5 MOSFET的主要特性:

新推出的MOSFET晶体管是首批采用意法半导体的 SuperMESH™ 5第五代超结技术的产品。新产品包括采用各种封装的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高压表面贴装封装,占位面积为64mm2, 比工业标准的D2PAK封装小56%。此外,这款产品的安装高度为1mm,比工业标准的D2PAK封装低77%,适用于超薄型应用设计。

900V STP21N90K5的灵敏值(Figure of Merit,FOM)反映了该产品接通电源以及导通和关断时的总体能效,比市场上唯一可比产品低62.5%。如果不使用其它品牌而选用STP21N90K5,设计人员即可大幅提高能效。

产品型号

额定电压

RDS(ON)

封装选项

注释

STx23N85K5

850V

0.275Ω

TO-247, PowerFLAT 8x8 HV

PowerFLAT 1mm厚表面贴装

最低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低栅电荷

100%雪崩测试

G-S齐纳二极管保护

STx21N90K5

900V

0.299Ω

TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK

TO-220封装的900V-950V的RDS(ON)最低

最低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低栅电荷

100%雪崩测试

G-S齐纳二极管保护

STx20N95K5

950V

0.330Ω

TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK

STx6N95K5

950V

1.25Ω

TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK, IPAK

最低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低栅电荷

100%雪崩测试

G-S齐纳二极管保护

       

新的SuperMESH 5产品已开始提供样片并接受生产订单,详情请查询www.st.com/pmos。

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