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IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列

关键词:IR 60V StrongIRFET MOSFET

时间:2014-07-07 11:24:16      来源:中电网

IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。

IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。

经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装,可提供大电流密度,有效缩减整体系统尺寸并降低成本,适用于空间受限的大功率工业设计。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力,并提供多种封装选择,使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”

与DirectFET系列的其它器件一样,全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含铅的物料清单,因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

规格                                                            

采用表面贴装封装的60V StrongIRFET

器件编号

BVDSS

25ºC时的ID

VGS为10V时的最大导通电阻

VGS为10V时的Qg

封装

IRF7580M

60V

116A

3.6

120

中罐式 (ME) DirectFET

IRFS7530-7P

240A

1.4

256

D2-PAK-7

IRFS7534-7P

240A

1.9

200

D2-PAK-7

IRFS7530

195A

2.0

274

D2-PAK

IRFS7534

195A

2.4

180

D2-PAK

IRFH7085

100A

3.2

110

PQFN 5x6 (B)

IRFR7540

110A

4.8

85

D-PAK

IRFS7537

195A

3.3

142

D2-PAK

IRFS7540

110A

5.1

88

D2-PAK

IRFH7545

85A

5.2

73

PQFN 5x6 (E)

IRFR7546

71A

7.9

58

D-PAK

采用穿孔式封装的60V StrongIRFET

器件编号

BVDSS

25ºC时的ID

VGS为10V时的最大导通电阻

VGS为10V时的Qg

封装

IRFB7530

60V

195A

2.0

274

TO-220

IRFP7530

2.0

274

TO-247

IRFB7534

2.4

186

TO220

IRFB7537

3.3

142

TO-220

IRFP7537

3.3

142

TO-247

IRFB7540

110A

5.1

88

TO-220

IRFB7545

85A

5.9

75

IRFB7546

58A

7.3

58

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