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Peregrine半导体和村田制作所启动2015年关于UltraCMOS Global 1的合作

关键词:Peregrine半导体 村田制作所 UltraCMOS Global 1

时间:2015-04-17 09:52:59      来源:中电网

Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进的射频解决方案的先驱,与村田制作所共同宣布关于2015年UltraCMOS Global 1的合作。

Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进的射频解决方案的先驱,与村田制作所共同宣布关于2015年UltraCMOS® Global 1的合作。两家公司的这项合作将在2015年世界移动通信大会上举行的UltraCMOS Global1 PE56500产品演示会上启动。UltraCMOS Global1 PE56500产品演示会地点是2号馆2A28MR会议室。通过这项新的合作,将把全CMOS射频前端解决方案PE56500与村田制作所的滤波器紧密无间地整合在一起。

“去年,在移动通信世界大会上,Peregrine发布了行业中第一个可重构射频(RF)前端系统UltraCMOS Global 1,并且证明了CMOS功率放大器(PA)能够与砷化镓(GaAs)技术媲美。” Peregrine半导体公司总裁兼行政总监Jim Cable说。“我们的长期合作伙伴村田制作所最近收购了Peregrine半导体,这有利于2015年关于UltraCMOS Global 1的合作,并加快产业界转到使用集成的全CMOS射频前端。”

“村田制作所拥有七十年的悠久历史,已经成为领先的滤波​​器和射频模块供应商,誉享全球。今天,村田制作所在全世界表面声波(SAW)滤波器市场的占有率在45%以上,在连接模块市场的占有率在60%以上。”村田制作所通信事业部执行副总裁兼总监中岛纪男说。“通过Peregrine半导体的UltraCMOS Global 1 解决方案与村田制作所提供产业界领先的滤波​​器和模块的能力的结合,我们能够提供第一个完全集成的射频前端解决方案,而且是由一家公司提供。”

UltraCMOS Global 1技术促成了一个单一的全球通用的SKU──为4G LTE移动设备制造商节省了大量的时间和金钱。由于村田制作所和Peregrine半导体之间的这项新的合作, SKU所需要的每一个元件将全部从一家公司得到,而这家公司拥有几十年的经验和资源,将确保在市场的领先地位。关于UltraCMOS Global 1的这项合作,将加快LTE移动设备制造商过渡到可重构RFFE的设计,从而在一块芯片上容纳全世界40多个LTE频带。

UltraCMOS Global 1为整个无线生态系统带来很多益处,对于LTE设备制造商而言,它的一个最大优点是容易调谐。在UltraCMOS Global 1出现之前,射频工程师必须通过一个称为离散双工匹配的工艺,用手工的方法焊接和调整射频前端。这个手工工艺过程需要两个星期至一个月的时间来完成,因而推迟了设备投放市场的时间。UltraCMOS Global 1用一个谐匹配网络取代离散双工器的匹配,在整个频带上对功率放大器(PA)的匹配进行了优化。利用UltraCMOS Global 1及其配套软件,工程师可以简单地插上射频前端,使用这个软件来调节射频前端,在几个小时之内就可以完成调节。此外,该器件仍然可以重构,并且可以调整到其他频率或频段,以满足市场的需要。这个独特的功能将在2015年世界移动通信大会上演示。

产品的特性和供货
UltraCMOSGlobal 1 PE56500是一个完全集成的、可重构3G / 4G蜂窝射频前端(RFFE)解决方案,其中包含多模式、多频段(MMMB)功率放大器,功放调谐,功放后置开关和天线开关,全部装在一个封装中。它有三个单片MMMB线性功率放大器,分为低频、中频、高频三路,其频段分别是690-915兆赫,1710-2100兆赫和2300-2700 MHz。这三路中的每一路都包含一个级间调谐匹配网络和最终调谐匹配网络,在移动电话的操作频带上,对多模式功率放大器的性

PE56500是通过MIPI RFFE V1.1标准数字接口进行配置的。因而能够做到可调谐匹配和偏置的优化,从而在线性度和效率之间得到最佳的选择。可配置的射频和偏置减少了由于模式、频率和生产公差而造成手机的变化。

全CMOS 射频前端解决方案提供了在各个模式和频段都易于使用的数字控制调整,高隔离度,解决了互操作性问题和可扩展性,从而可以轻而易举地支持更多数量的频段,而且可以调谐,开关损耗小。PE56500是在Peregrine半导体的UltraCMOS10技术的基础上研制而成的,它把Peregrine行之有效的射频SOI开关和调谐器技术,与CMOS功放的新功能结合起来,性能与砷化镓的性能相当。

UltraCMOS Global 1  PE56500将在2015年下半年进行批量生产。
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