关键词:Peregrine 直流射频开关 绝缘体上硅 射频SOI UltraCMOS PE42020
时间:2015-04-17 09:49:36 来源:UltraCMOS PE42020
“Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人,先进的射频解决方案的先驱,现在宣布UltraCMOS PE42020上市。
”Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人,先进的射频解决方案的先驱,现在宣布UltraCMOS® PE42020上市。UltraCMOS®PE42020是业界第一个、也是唯一一个真正工作在直流(DC)即零赫兹的集成射频开关。这个真正的直流射频开关能够通过大功率,并且在直流到8000 MHz的频率范围上保持出色的射频性能和线性度。PE42020是取代问题丛生的机械继电器和微机电系统(MEMS)的可靠方案,是用于测试和测量(T&M)和自动测试设备(ATE)的理想开关。
“可以工作在直流,并且真正覆盖整个频谱的集成射频开关,PE42020是第一个。” Peregrine的高级市场营销经理Kinana Hussain说。“到现在为止,只有机械式继电器和MEMS开关可以通过直流信号,而这些产品都存在可靠性问题的困扰,并且缺乏整合性。今天发布的UltraCMOS PE42020,是Peregrine解决射频行业所面临的最大挑战的又一个例子。”
Peregrine公司的UltraCMOS技术促成了智能整合,也就是把射频、数字和模拟功能集成在一块单片芯片上的能力。这个真正的直流射频开关把高性能的射频开关、模拟直流信号跟踪和数字控制逻辑以及阻抗控制等功能整合在一块芯片上。通过这些功能的整合,射频工程师得到许多好处,包括系统可以有更多功能,更好的性能,更小的外形尺寸,可靠性和灵活性。
特性、包装、价格和供货
Peregrine的PE42020是真正的直流射频开关,它配置成单刀双掷(SPDT),频率范围很宽,从直流(零赫兹)直到8000 MHz。PE42020可配置50欧姆吸收电阻或开路反射,能够通过很大功率,在0赫兹时为30 dBm,在8 GHz时为36 dBm。它的线性度很好,在8GHz时,IIP3为62 dBm;总谐波失真(THD)优异,为-84 dBc;38 dBm的高功率0.1分贝压缩点。PE42020的开关速度很快,为10微秒,过渡过程时间很短,为35微秒,在所有引脚上的人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)保护电压额定值为1000V。此外,它的射频端口可以通过的直流电压或交流电压的峰值为+ 10V至-10V的范围,通过有源射频端口的直流电流高达80毫安。这种类型的开关,这是第一个。样品、评估工具和量产产品现在已经上市。PE42020符合RoHS标准,使用20引脚4×4 mm的QFN封装,订购数量为1千片时的价格是每个14美元,订购数量为5千片时的价格是11.35美元。
特性 |
UltraCMOS PE42020 真正的直流射频开关 |
配置 |
单刀双掷(SPDT) |
频率范围 |
0 Hz-8000 MHz |
传送功率的能力高 |
· 30 dBm(在 0 Hz时) · 36 dBm(在 8 GHz时) |
可以使用的最高电压 |
±10V(直流或者交流峰值电压) |
优异的线性度 |
IIP3为62 dBm |
总谐波失真度(TSD) |
-84 dBc |
大功率 0.1dB压缩点 |
38 dBm(在8 GHz时的典型值) |
过渡过程时间 |
35 μs |
开关时间 |
10 μs |
静电放电(ESD)保护额定电压很高 |
1000V (人体放电模型,所有引脚) |
温度范围 |
-40至+85°C |
支持的逻辑电平 |
1.8V、3.3V |
封装 |
20引脚、 4 x 4 mm QFN |
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