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QORVO全新碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)放大器可进一步降低电信基础设施成本

关键词:QORVO 碳化硅基氮化镓放大器 双晶体管模块 QPD2731

时间:2017-08-10 16:00:14      来源:中电网

双晶体管模块针对宏基站设计提供无与伦比的性能

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布,推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管,可最大限度提高线性度、效率和增益,并最终降低运营成本。

Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示:“相比GaAs和InP等其他高频技术,GaN器件可以处理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技术,GaN的频率性能更出色。”

Qorvo高性能解决方案业务部门总经理Roger Hall表示:“如今的电信基础设施设计就是要实现可降低成本的高功效。我们的客户告诉我们,随着运营商在线提供更多功能,新型GaN-on-SiC QPD2731晶体管可实现这些目标。”

因为LDMOS和GaN-on-Si与之相比,热性能较差,客户正越来越多地转向使用GaN-SiC,以大幅改善无线基站的性能、线性度和效率。QPD2731通过预匹配分立式GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现这一转变。目前提供样片的这款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范围内提供业内最高性能。

根据Qorvo之前发布的内容,通过标准的市售第三方DPD系统可实现QPD2731的线性化。

QPD2731功能

工作频率范围

2.5 – 2.7 GHz

Doherty 峰值输出功率

55.0dBm (316W)

Doherty 漏极效率

60.0% (47.5dBm)

Doherty 增益

16.0 dB

4引脚无耳式陶瓷法兰 NI780 封装


Qorvo提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓(GaN)分立式晶体管产品,采用裸片级和封装级解决方案。
 

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