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Diodes公司的新系列高侧/低侧闸极驱动器采用SO-8封装以提供更高效能

关键词:D类功率放大器 DGD2003S8 DGD2012S8 马达控制

时间:2019-03-21 14:31:44      来源:Diodes公司

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出全新系列的高电压、高速闸极驱动器,适用于转换器、变频器、马达控制,以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用,同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常适用于各种消费性与工业设计,包括电动工具、机器人与无人机,以及小型电动车。


DGD2003S8、DGD2005S8及DGD2012S8为涵盖半桥与高侧/低侧拓扑的 200V 闸极驱动器,并采用标准低矮型 SO-8 封装。这些装置具有接面隔离位准偏移技术,可建立浮动信道高侧驱动器,用于以最高 200V 运作的自举式拓扑,并可驱动使用半桥组态的两个 N 通道 MOSFET。

此系列中的所有装置皆具备包含 Schmitt 触发的标准 TTL/CMOS 逻辑输入,最低能以 3.3V 运作,因此很容易将驱动器连接至控制电路。其输出的设计可承受负瞬态,并包含适用于高侧与低侧驱动器的欠压锁定。

DGD2003S8 与 DGD2005S8 分别具有 290mA 与 600mA 的源极与汲极电流,DGD2012S8 则为 1.9A 与 2.3A,在其范围内皆可维持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 内部停滞时间,而 DGD2005S8 在高侧与低侧之间切换时,最大传播时间为 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封装,并可在 -40℃至+125℃ 的宽广温度范围中运作。

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