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贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器高频应用的好选择

关键词:贸泽 TI LMG1210 MOSFET GaN FET驱动器

时间:2019-09-26 16:29:32      来源:贸泽

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI)  LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器,经过特别设计,能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行,并具有10 ns的超短传播延迟,优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制,可让设计人员优化系统内的死区时间,进而改善效率。

LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO,可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT),可实现较高的系统抗扰性。

TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电、RF包络跟踪以及其他功率转换应用。 
        
贸泽电子拥有丰富的产品线与贴心的客户服务,积极引入新技术、新产品来满足设计工程师与采购人员的各种需求。我们库存有海量新型电子元器件,为客户的新一代设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况,而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外,Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

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