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Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET,为功率转换应用提供业界最低FOM指标

关键词:Vishay SiHH070N60EF

时间:2020-12-23 15:03:11      来源:中电网

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出,以及即将发布的第四代600 V EF系列产品,Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω,超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装,符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHH070N60EF现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

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