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Vishay推出650V SiC肖特基二极管,提高了高频应用的效率

关键词:Vishay

时间:2021-01-26 14:13:42      来源:中电网

Vishay Intertechnology,Inc.(纽约证券交易所代码:VSH)今天​​推出了10个新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。

Vishay Intertechnology,Inc.(纽约证券交易所代码:VSH)今天​​推出了10个新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)设计,旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率,而不受温度变化的影响,从而使二极管能够在更高的温度下工作。

今天发布的二极管的MPS设计可屏蔽来自肖特基势垒的电场,以减少泄漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比,这些二极管可处理相同水平的电流,而正向压降仅稍有增加,同时显示出更高的坚固性。

 

该器件用于服务器,电信设备,UPS和太阳能逆变器的反激式电源和LLC转换器中的PFC和输出整流,它们为设计人员提供了在系统优化方面更大的灵活性。这些二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流范围为4 A至40 A,可在+175°C的高温下工作。

 

设备规格表: 

 

新型SiC二极管现已可提供样品,并已量产,供货周期为10周。

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