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Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模块可支持新一代微处理器

关键词:Vishay SiC8xx

时间:2021-03-16 16:17:04      来源:中电网

器件采用PowerPAK® 5 mm x 6 mm封装,内置电流和温度监测功能,满足基础设施、云计算和图形卡应用需求

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出九款采用热增强型5 mm x 6 mm PowerPAK® MLP56-39封装,集成电流和温度监测功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower®智能功率模块。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模块提高能效和电流报告精度,降低数据中心和其他高性能计算,以及5G移动基础设施通信应用的能源成本。

产品编号

PWM电平

电流

输入电压

SiC822

5 V

70 A

4.5 V - 16 V

SiC822A

3.3 V

SiC820

5 V

80 A

SiC820A

3.3 V

SiC840

5 V

100 A

SiC840A

3.3 V

SiC832

5 V

70 A

4.5 V - 21 V

SiC832A

3.3 V

SiC830

5 V

80 A

SiC830A

3.3 V

日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效,器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术,这一技术确立行业性能基准,显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式,提高全负载范围的效率。

采用电感器DCR监控功耗的解决方案,电流报告精度为7 %,而SiC8xx系列器件采用低边MOSFET进行检测,精度误差小于3 %。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统(SoC)性能,改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。

SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V(如表中所示),开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定(UVLO)。SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平,兼容各种PWM控制器。

智能功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为16周。

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