首页 > 新品 > 意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

关键词：意法半导体 MDmesh MOSFET 650V STP65N045M9 600V STP60N043DM9

时间：2022-05-19 13:28:33 来源：中电网

“意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。

”

意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。

首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(R_DS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(R_DS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43mΩ。由于栅极电荷 (Q_g)非常低，在 400V 漏极电压时通常为 80nC，两款器件都具有目前市场上一流的 R_DS(on)maxx Q_g品质因数 (FoM)。

STP65N045M9 的栅极阈压 (V_GS(th))典型值为 3.7V，STP60N043DM9 的典型值为 4.0V，与上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比，可极大程度地降低通断开关损耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢复电荷(Q_rr)和反向恢复时间 (t_rr) 也都非常低，这有助于进一步提高能效和开关性能。

意法半导体最新的高压 MDmesh 技术的另一个特点是增加了一道铂扩散工艺，确保本征体二极管开关速度快。该二极管恢复斜率(dv/dt) 峰值高于早期工艺。MDmesh DM9全系产品具有非常高的鲁棒性，在 400V电压时可耐受高达 120V/ns 的dv/dt斜率。

意法半导体的新 MDmesh M9 和 DM9 产品STP65N045M9和STP60N043DM9 均采用 TO-220 功率封装，现已投产，2022 年第二季度末代理商开始铺货销售。2022 年底前还将增加标准的贴装和通孔封装。

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮�[email protected]。

分享到：

[上一篇：] Allegro 发布针对汽车和工业等应用的4x4mm 50V全桥栅极驱动器

[下一篇：] Microchip推出全新实时平台信任根，为系统平台提供完整信任链