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Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块

关键词:Vishay EMIPAK 1B封装二极管 MOSFET功率模块

时间:2022-11-24 13:42:45      来源:Vishay

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对车载充电应用专门推出七款新型二极管和MOSFET功率模块。含有各种电路配置的集成解决方案采用PressFit引脚压合专利技术,将高效快速体二极管MOSFET和SiC、FRED Pt®和MOAT二极管技术结合在小型EMIPAK 1B封装中。

Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块,为车载充电应用提供完整解决方案

灵活的器件采用PressFit引脚压合技术,在小型封装中内置各种电路配置

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对车载充电应用专门推出七款新型二极管和MOSFET功率模块。含有各种电路配置的集成解决方案采用PressFit引脚压合专利技术,将高效快速体二极管MOSFET和SiC、FRED Pt®和MOAT二极管技术结合在小型EMIPAK 1B封装中。

日前发布的Vishay Semiconductors器件具有车载充电应用AC/DC、DC/DC和DC/AC转换所需的各种电路配置,包括输入/输出桥、全桥逆变器和功率因数校正(PFC),适用于各种额定功率。模块符合AQG-324汽车标准,可为电动(EV)和混合动力(HEV)汽车以及电动自行车、农业机械、铁路车辆等提供完整解决方案。

器件EMIPAK封装采用矩阵式方法,在同样的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封装中内置各种定制电路配置。与分立式解决方案相比,有助于提高功率密度,同时可在工业和可再生能源应用不同功率级灵活使用每种模块,适用于焊接、等离子切割、UPS、太阳能逆变器和风力发电机等。

器件的AI2O3直接敷铜(DBC)衬底改进了热性能,经过优化的布局有助于减小杂散电感,提高EMI性能。模块PressFit引脚压合技术便于PCB安装并减少衬底机械应力,而无底座结构减少了需要焊接的接口提高可靠性。

器件配置表:

产品编号

电路配置

VS-ENK025C65S

双升压 PFC MOSFET和全桥MOSFET逆变器

VS-ENV020F65U

六个用于输出整流的独立Ultrafast整流器

VS-ENW30S120T

全桥SiC二极管

VS-ENY050C60

全桥逆变器MOSFET

VS-ENV020M120M

六个用于交流线路输入整流的独立二极管

VS-ENM040M60P

半控输入桥加升压PFC支路MOSFET和半桥逆变器MOSFET

VS-ENZ025C60N

独立恢复二极管双向交错无桥PFC(四通道)

Vishay 提供全系列硅技术功率模块,包括Si和SiC二极管、 晶闸管、IGBT和 MOSFET, 以及电容器、分流器、NTC和PTC热敏电阻等被动元件。器件可用来配置各种拓扑结构,包括标准焊接引脚和PressFit端子,适用于广泛功率范围。功率模块符合工业标准,可加以定制满足特定应用要求,具有高度灵活性和成本效益,有助于设计人员加快产品上市速度并提高整体系统性能。

新型功率模块现可提供样品。量产供货周期为26周。

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