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三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

关键词:三菱电机 硅射频高功率 MOSFET

时间:2024-03-01 14:37:52      来源:三菱电机

三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。

三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。


硅射频高功率MOSFET(RD06LUS2)

随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及,商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止,3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低,因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中,一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。

为此,三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET(RD06LUS2),可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外,内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间,有助于降低组装成本。

产品特点

行业先端的6.5W输出功率,有助于扩展无线电通信范围

• 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻,提高了功率密度。
• 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。
• 与现有型号*2相比,输出功率的增加将通信范围扩大了27%。

行业先端的65%漏极效率,实现低功耗

• 针对3.6V工作电压的优化,实现65%漏极效率。
• 漏极效率的提高可降低无线电功耗,从而延长运行时间。

双MOSFET封装,可节省空间并降低组装成本

• 与两个单芯片产品相比,带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。
• 兼容表面贴装技术(SMT),可降低封装组装成本。

主要规格

未来发展

新款RD06LUS2 MOSFET将于2024年7月发售。同时,配套的MOSFET驱动器(RD00LUS2)将于2024年3月开始提供样品,预定于2024年8月发售。此外,为了提供支持,将于2024年5月推出配备RD06LUS2 MOSFET和RD00LUS2驱动器的两级评估板以及非线性仿真模型。

环保意识

本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

*1:从电池电源到射频功率输出的转换效率
*2:三菱电机现有的4W 射频高功率MOSFET(RD04LUS2)
*3:Restrictin of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年,集团营收50036亿日元(约合美元373亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

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