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英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率树立行业新标准

关键词:英飞凌 OptiMOS 6 200 V MOSFET 电机驱动

时间:2024-03-20 15:24:42      来源:英飞凌

英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外,凭借宽安全工作区(SOA)和业界领先的RDS(on),该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性,树立了新的行业标准。


无铅OptiMOS™ 6 TO

与上一代OptiMOS™ 3相比,OptiMOS™ 6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性,其RDS(on)降低了42%,有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面,OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多,且 Qrr(typ)降低了 89%,使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度(Coss 和 Crss),减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享,使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。

OptiMOS™ 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅,满足当前行业标准的要求。

供货情况

OptiMOS™ 6 200 V产品提供多种封装,包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P,适用于各种应用。所有型号目前均可订购。更多信息,敬请访问 www.infineon.com/optimos-6-200v。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
更多信息,请访问www.infineon.com
更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/  

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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