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时间：2002-05-09 11:35:00 来源：中电网
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”| 3月20日三星半导体(Samsung Semiconductor)公司宣布，集成了256 M位NAND闪存以及可选的32M位UtRAM的128M位SDRAM的大容量多片封装(MCP)的器件开始供货给3G移动手机制造商。 |
| 三星半导体的MCP存储器，在一个封装内堆栈式地集成了256 M位NAND闪存以及可选32M位 UtRAM的128 M位SDRAM。SDRAM相当于一个缓存和工作存储器，而NAND闪存存储代码和数据。UtRAM消除读写之间的死锁，加速数据传输。 |
| 三星声称，带有选择的32M位UtRAM的128M位SDRAM/256M位NAND闪存的MCP器件，可以作为传统的NOR闪存和SRAM在蜂窝电话中的替代品。移动手机现在装有MCP器件：32M位闪存和8M位 SRAM芯片。这些MCP器件提供高密存储器，提供支持3G移动图像处理能力，面积却只有原来的一半。 |
| 128M位SDRAM最高频率为100MHz，电压1.8V。256M位NAND闪存工作电压为1.8V，具有16位数据总线。供选择的32M位UtRAM响应时间85ns，与传统SRAM的六个晶体管单元结构不同， 它的单元结构是一个晶体管和一个电容。其它信息参看：www.usa.samsungsemi.com。 |
| 2002.05.08 |
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