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”| 10月29日讯，意法半导体 (ST)推出两款多片闪存，新产品采用该公司最先进的0.15mm 技术工艺，将应用在高性能的下一代移动电话。 64兆位的M58WR064ET和 M58WR064EB是首次将多片体系结构、1.8V电源电压和同步突发读模式集于一身的器件，这些器件有助于提高技术更为复杂的第三代移动电话的性能。这两款产品的开发成功，证实了意法半导体 (ST)坚持用创新的解决方案满足市场对高级应用的需求的承诺。 意法半导体 (ST)闪存分公司总经理Mario Licciardello说："这些新器件是ST对移动电话专用闪存的开发所做出的巨大投入的结果，这两款新器件均是集先进功能和尖端技术于一身，预计会在下几个季度成为我们的主打产品。" 意法半导体 (ST)已经拥有种类齐全的闪存产品，其中包括针对低功率无线系统优化的产品，以及适合移动电话、寻呼机和个人数字助理PDA等便携嵌入式应用的闪存系列。新的M58WR064ET和M58WR064EB兼有高密度、低功耗、较大的编程吞吐量、小型封装以及多片体系结构提供的高度灵活性。所有这些特性对于移动市场是非常重要的。 M58WR064ET和M58WR064EB都有一个非对称的块体系结构。每个器件都由可以再细分成135个块的4兆位的片构成，每片含有8个32千字的主块，这种片共有15片，另外还有一个含有8个4千字的参数块和7个32千字主块的参数片。在M58WR064ET 中，参数块位于存储器地址空间的上部，而在M58WR064EB中，参数块位于存储器地址空间的下部。 这种片体系结构允许双重操作：在一个片上进行编程或擦除操作时，可以在另一个片上进行读操作。M58WR064EB 和M58WR064ET可以按照15个4兆位的片进行双重操作，所以，这种多片体系结构具有更高的双重操作的灵活性。两个器件都支持从存储阵列所有块的同步突发读操作和异步读操作。在上电时，器件配置成异步读模式。在同步突发读模式下，数据在每个时钟周期以最高54MHz的频率输出，此外，还可以进行跨越片边界的突发读操作。 利用一个1.65V 到 2.2V VDD的电路电源和一个1.65V 到 3.3V VDDQ输入/输出引脚电源，这两款器件可以在块级别上进行电擦除，然后进行逐字的系统中编程。另外，为加快用户的编程速度，还提供一个12V 的VPP选用电源。M58WR064EB和 M58WR064ET具有快速编程的功能：双倍、四倍字编程和增强型工厂编程。双倍和四倍字编程命令分别用于对2个和4个相邻字并行编程，而增强型工厂编程命令则用于对一个块内的大量数据流编程。 每个块可以单独擦除。给任何其它块编程时，可以暂停擦除操作，编程结束后可以继续擦除。同样，从任何其它块上读取数据时，可以暂停编程操作，读操作结束后可以继续编程。使用VDD电源电压，每个块可以编程和擦除100,000次以上。使用两个增强型工厂编程命令，可以加快编程速度。 自动待机模式是这些器件的特性之一，在异步读操作下，当一条总线停止工作150ns后，它们会自动切换成待机模式，在这种条件下，功耗降低了，但输出仍然继续。 新产品采用7.7 x 9mm VFBGA56封装，焊球节距0.75mm，供货时所有位被擦除(设置成"1")。 下图为产品外形图。详情请访问ST网站：www.st.com/flash. |
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2002.10.31 |
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