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”| 11月7日讯，TI公司采用标准的CMOS逻辑工艺生产出64M位铁电RAM(FRAM)芯片，能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存储器和处理器，外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性，增加系统性能和数据安全。TI公司认为，FRAM比其它的嵌入式存储器的制造成本低，功耗也低。TI公司所生产的64M位FRAM有最小的FRAM单元，仅为0.52平方微米。FRAM有快速存取时间，低功耗，小单元面积和低制造成本，使它能用来存储程序和数据，非常适合用在无线领域。其它的潜在市场包括有宽带接入，消费类电子和TI公司的大量的可编程DSP。 TI最初的FRAM测试芯片是用标准的130nm铜连接工艺制造，仅增加两道掩模工序。1.5V芯片证明了迄今为止最小的FRAM单元，尺寸仅为0.52平方微米，因此在同样的芯片上能得到比SRAM密度更高的存储器。在90nm工艺，FRAM单元更小，仅为0.35平方微米。FRAM结合了易挥发的DRAM的快速存取和低功耗的特点，能够在停电时保存数据。其它非挥发的存储器如EEPROM和闪存则更贵，因为需要更多的掩模工序，更长的写入时间和更多的写入功率。 FRAM是如何工作的？FRAM核心技术是把微细的铁电晶体集成到电容上，使FRAM像快速的非挥发RAM那样工作。铁电晶体的电极化在电场的作用下在两个稳定状态间变化。电极化的方向有内部电路的高或低逻辑状态确定。每个方向都是稳定的，电场除去后依然保持不变，从而在存储器中保存了数据而不会发生周期性刷新。TI的FRAM单元采用1晶体管-1电容(1T-1C)结构，最小化单元面积。铁电电容由铱电极和薄的锆酸铅钛酸盐(Lead Zirconate Titanate(PZT))铁电层组成。详情请上网：www.ti.com |
2002.11.18 |
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