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”| 11月4日讯，IBM公司推出速度为350GHz的锗硅晶体管。这种新型晶体管的性能比现有的产品高近300%，比先前报道过的硅晶体管快65%。手指甲大小的微芯片能有几百万个晶体管。 IBM开发的晶体管将会使通信芯片在大约两年内速度高于150GHz。该晶体管也期望能大大地降低通信系统和其它电子产品的功耗和成本。IBM将会在2002年十二月9-11日的国际电子器件会议详细描述该晶体管的技术，论文题目为"SiGe HBT截止频率接近300GHz。" 晶体管的速度主要由电子通过晶体管的快慢来决定。这取决于制造晶体管的半导体材料和电子必须通过的距离。绝大多数标准晶体管所用的材料是硅。1989年，IBM在硅中掺入锗，加快电子的流动，改善了性能和降低了功耗。IBM把SiGe材料和改进的晶体管设计结合起来，能缩短电子的通路，提高器件的速度，得到了新的结果。在标准的CMOS晶体管，电子是水平移动的，缩短通路需要把晶体管做得更窄。由于需要新的制造工具，这又增加了难度和成本。在这种情况下，IBM采用双极晶体管。在双极晶体管，电子的移动是垂直的，所以，降低晶体管的高度而不是宽度，能改善速度。IBM采用新颖的垂直缩放比例技术，降低了晶体管的高度，缩短了电子移动通道，从而改善了性能。 IBM的SiGe芯片用现有的生产线制造，能以最小的成本迅速引用新技术。这使得SiGe技术扩展了性能，延长了手机和RF通信产品的电池寿命。据估计，2001年SiGe的销售量为$3.2亿，2006年将达到$27亿。而IBM的SiGe销售量在2001年占有80%的份量。详情请上网：www.ibm.com |
2002.11.19 |
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