uPD29F256115/425:256Mb NOR闪存

关键词：存储器

时间：2003-01-13 10:57:00 来源：中电网

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1月3日讯，NEC电子推出两种256Mb NOR型闪存uPD29F256115 和uPD29F256415，它采用多级单元(MLC)技术提供更低成本的存储器产品，以适合用于需要增加功能的移动应用。

采用MLC技术，NEC宣称已能增加存储器容量，而存储器单元的尺寸却减小一半。每个芯片有更多的存储，设计者由于在每个设计中采用较少的芯片而维持低成本。过去，基于MLC技术的闪存速度比非MLC器件慢。为解决这个问题，NEC公司采用读电路设计，以允许NOR型闪存在读周期中以更快的读取速度来运行。这就使该公司能开发出低成本高容量模块，达到非MLC产品同样的读取速度。

NEC公司采用0.15微米技术来提供有256Mb容量的NOR型闪存，其读取速度为85ns，页读取速度为25ns。uD29F256115采用32位数据总线，进一步优化在移动应用方面的性能。器件可以是精细间隔的FBGA封装和堆栈式多片封装(S-MCP)，它结合了闪存和移动专用的RAM或静态RAM。

现在可提供样品，2003年上半年能进行量产。样品数量的单价为$40。详情请上网：www.necel.com

2003.01.13

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