M58LW128：多位单元128Mb闪存

关键词：Flash

时间：2003-01-15 14:31:00 来源：中电网

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1月13日讯，ST公司推出采用该公司0.15微米工艺生产的多位单元技术的新型128Mb闪存系列M58LW128A/B，每单元能存储两位数据，和单位单元相比，存储器阵列面积降低了一半。此外，新器件很适合用在代码和数据存储，节省重要的应用板空间，有广泛的应用。

单元技术和ST的最新的NOR型闪存制造工艺导致了高密度高速度的性能，并且改善了器件的可靠性。对于低成本的应用如数字机顶盒，静止照相机，网络浏览器，手机和PDA以及网络设备，游戏和固态存储盘，该器件是理想的。

ST公司提供两种型号的128Mb闪存，M58LW128A有16位数据总线，M58LW128B能被配置成16位或32位宽数据总线。两者都是1Mb的128个区块，允许存储代码和数据。因此改善了系统性能和节省了板的面积。每个区块有自身的安全机理，用来保护引导代码或数据。

器件工作在单一电源，使它很适合用在手持设备。编程，擦除和读操作用2.7-3.6V电压进行，而输入/输出缓冲器的电源(Vddq)则为1.8V到Vddq。

器件能在系统内用16字宽或8双字宽编程，能在区块级电擦除。每个区块能进行10万次编程/擦除，有20年数据保存时间。该器件支持普通的闪存接口，使系统很容易和存储器接口，需要时软件本身也能自行升级。

器件支持异步和同步两种读操作，异步读操作存取时间为150ns，同步突发读模式工作在66MHz。这使器件能足够快直接执行，而不用复制到临时的存储器。

M58LW128A的封装为14X20mm的56引脚的TSOP，或10X13mm的64针TBGA，球针间隔为1mm。M58LW128B为10X13mm 80针的TBGA，球针间隔为1mm。下图为产品的外形图。详情请上网：www.st.com

2003.01.15

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