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”| 3月17日讯，Infineon公推出全集成的用于3G应用的W-CDMA/UMTS单片RF收发器以及用于PC和服务器的DRAM新型存储器，第二代DDR(DDR2)存储器产品。 现在可提供512MbDDR2 SDRAM样品。它的数据速率可达到400Mbps,533Mbps 和677Mbps。存储器模块可采用533Mbps速率来设计，带宽达到4.3GBps。目标应用在下一代服务器，高端PC和笔记本电脑。512Mb DDR2芯片和JEDEC兼容，能配置成四组DRAM，可提供X4，X8和X16的字长。新元件的其它特性包括预提取4位，差分锁存和可变数据输出阻抗调整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工艺制造。由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端笔记本电脑和膝上型电脑。 1GB SO-DIMM采用8个1Gb元件，它用Infinoen的两个512Mb芯片封装一个封装内。这种封装是1Gb DDR-I元件符合JEDEC PC2100的标准形状系数。它采用200引脚的连接器，工作在5V，有两个128MbX64组。PC2100模块的工程样品价格为$900。和1G模块兼容的PC2700模块计划在2003年第二季度提供。 512Mb元件也扩展到移动存储器系列，它包括128Mb和256Mb两种。它的占位面积和待机功耗都比通常的DRAM产品小50%，移动RAM很适合用在手持电子产品如PDA，智能手机，数码相机和网络便笺簿。移动RAM工作在2.5V而不是通常SDRAM的3.3V，由于它的功率管理技术，其功耗进一步降低。现在可提供512Mb移动RAM的样品，单价为$40.00。 现在也可提供256Mb降低等待时间的DRAM(DLDRAM)，用于网络设备，支持数据速率10-40Gbps(OC-192 和OC-768)，优化用于数据包缓冲，IP地址寻找和快速缓存的系统。RLDRAM允许超快速的随机存取，行周期时间25ns，极大地降低了成本。几个第三方公司为系统设计者提供RLDRAM的开发板解决方案如Avnet设计服务部的Avalon参考设计系统和Memec的参考板。 Infineon现在可提供全集成的单片W-CDMA/UMTS频段RF收发器PMB5698。它依照3GPP的要求可用在移动W-CDMA和UMTS/GSM应用中。它的低电流消耗能进一步增加新型3G手机的待机时间和通话时间。该高集成度的芯片，和采用独立的接收器/发送器相比，大大地减少了元件数和PCB的空间。它采用零差结构，极大地简化了频率编制，消除了IF级和由此需要的SAW滤波器。它是40引脚P-VQFN封装，间距0.5mm。大量生产在2003年第二季度。详情请上网：www.infineon.com |
2003.03.24 |
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