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”| 3月19日讯，Micro技术公司推出业界第一个4GB DDR SDRAM双列直插存储器模块(DIMM)，已经得到Intel公司注册认可。这种注册的4GB DIMM和以前的1GB DDR SDRAM是Intel平台用户最新的高密度解决方案。 |
| 工业标准4GB 184引脚PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用Micro公司的 1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封装在符合JEDEC标准的400密尔宽的64引脚TSOP封装，间距0.65mm。该芯片的工作电压为VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V，双向数据选通(DQS)发送/接收，内部管线式双数据速率(DDR)结构，每时钟周期有两个数据存取，差分时钟输入，在每个正CK缘指令进入，数据读时DQS边缘对准定位，数据写时中心对准定位，可编突发长度为2，4或8，有自动刷新和自我刷新模式等性能。 |
| 1Gb DDR SDRAM是采用业界最先进的0.11um堆栈电容工艺制造。详情请上网：www.micron.com |
2003.03.25 |
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