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”| 3月31日讯，Motorola公司推出基于纳米晶体的业界首个4Mb存储器器件。4Mb测试芯片的全部功能可以说是替代浮置栅闪存研究中的一个主要里程碑，它比浮置栅闪存的体积更小，更可靠和能量上更有效率。 |
| 硅纳米晶体存储器是称作薄膜存储的先进存储器技术。Motorola已经开发出简化这种存储器制造的技术。在Motorola的DigitalDNA实验室，采用传统的沉积设备，能在两层氧化物间沉积直经为50埃的硅纳米晶体。这种硅球用来保持和阻止电荷横向运动到其它绝缘的纳米晶体。这就期望能增加可靠性和可量测性，因为单一的氧化物缺陷不会导致像在传统浮置栅非易失性存储器中那样的电荷完全损失。硅纳米晶体存储器是潜在产品能替代传统的闪存，它广泛应用在汽车电子，家用电器，无线设备和工业控制。 |
| 闪存允许制造商存储软件代码和数据。这种灵活性允许制造商在开发阶段能经常重新编程微控制器或在现场存储控制器的数据。它能很快适应快速变化的市场需要，或在现场遥控修改有问题的软件。可是，工业上要制造更小尺寸如90纳米或更小的尺寸浮置栅闪存是不可能的。在这样的尺寸，要用9-12V的高压晶体管来写和擦除闪存，变得太贵了。同时，工程师也不能降低浮置栅闪存的高压而不影响到可靠性，而冒存储器失效和数据丢失的风险。 |
| 据报导，2004年将会有产品提供。详情请上网：www.motorola.com |
| 2003.04.07 |
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